Группа электронно-микроскопических исследований
Руководитель подразделения:
Группа электронно-микроскопических исследований решает задачи аналитической и количественной микроскопии, локального элементного анализа, кристаллографического анализа в микрообластях. Она располагает просвечивающим электронным микроскопом JEM-2000EX фирмы «JEOL» (Япония), растровыми электронными микроскопами MIRA 3 LMH с EBSD приставкой и VEGA 3SBH с EDX приставкой, фирмы «TESCAN» (Чехия). Эти электронные микроскопы высокого разрешения предназначены для исследований тонкой структуры и микроструктуры материалов в режимах дифракционного контраста на просвет тонких фольг, регистрации вторичных электронов (рельеф) и обратно отраженных электронов (фазовый контраст), анализа кристаллографической структуры массивных поликристаллических образцов методом регистрации обратно отраженных электронов (EBSD) и энерго-дисперсионного анализа (ЭДА) элементного состава материалов. В лаборатории имеется также оборудование для изготовления образцов как для просвечивающих, так и растровых электронных микроскопов. Это - прибор для электролитического утонения металлических образцов "TENUPOL 5" фирмы "STRUERS", прибор фирмы “GATAN” для утонения методом ионной бомбардировки непроводящих образцов. Кроме того, лаборатория располагает установкой для производства жидкого азота LNP-20, оптико-эмиссионным спектрометром для быстрого анализа элементного состава металлопродукции и другим вспомогательным оборудованием.
Состав подразделения:
1. Мусабиров Ирек Ильфирович, с.н.с., к.ф.-м.н.
2. Гуненков Константин Александрович, ведущий электронщик
3. Гайфуллин Руслан Юнусович, инженер
Высокоразрешающий растровый электронный микроскоп Mira 3 LMH (Tescan), оснащенный детекторами для исследования морфологии, ориентационного и композиционного контрастов, приставкой для детектирования обратно рассеянных электронов при исследовании кристаллографической ориентировки зеренной структуры.
Микроструктура сплава Ni-Mn-In-Co в режиме ориентационного/композиционного контраста и элементные карты с исследуемого участка шлифа (РЭМ)
Микроструктура композита Al-Cu с увеличением 200 тыс. крат и прямое разрешение нанодисперсной частицы Al3(Sc, Zr) в алюминиевом сплаве 1570С при увеличении 800 тыс. крат (ПЭМ)